BALLUFF磁敏傳感器作用,巴魯夫特點

BALLUFF磁敏傳(chuan) 感器作用,巴魯夫特點
特征：直接裝入槽內(nei) ，穩妥固定，可在空間狹窄的應用中齊平安裝，
可用於(yu) 具有強磁性或弱磁性的氣缸和夾具，高亮度LED。
可提供超短型結構形式以及帶金屬殼體(ti) 或磁敏電子裝置的傳(chuan) 感器。
結構小巧緊湊，開關(guan) 距離大
每個(ge) 開關(guan) 點的遲滯都可調節
60 mm的超大移動行程
通過多個(ge) 彩色LED顯示狀態
非接觸式，無磨損
耐髒
開關(guan) 點可個(ge) 性化設置，無需使用工具
可用於(yu) 具有徑向或軸向磁極化的缸體(ti) 和抓具
通過IO-Link對多8個(ge) 開關(guan) 點進行遠程示教
停電時開關(guan) 點也不會(hui) 丟(diu) 失
通過的開關(guan) 點實現的開關(guan)
傳(chuan) 感器可以6.5 mm的直徑，以非接觸方式探測位置，遠相隔90 mm
適合工業(ye) 用途且耐髒
也可穿過容器或管道探測位置
可探測帶磁體(ti) 的編碼
尺寸  9 x 4.8 x 16 mm
接口  M8x1插頭，3針
開關(guan) 輸出端  NPN常開觸點 (NO)
開關(guan) 頻率  30000 Hz
電纜  PUR, 0.30 m
應用  通過優(you) 化響應距離

尤其適用於(yu)
霍爾效應:通電的載體(ti) 在受到垂直於(yu) 載體(ti) 平麵的外磁場作用時，則載流子受到洛倫(lun) 茲(zi) 力的作用， 並有向兩(liang) 邊聚集的傾(qing) 向,由於(yu) 自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從(cong) 而形成電勢差， 在經過特殊工藝製備的半導體(ti) 材料這種效應更為(wei) 顯著。從(cong) 而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為(wei) 增強對磁場的敏感度,在材料方麵半導 體(ti) IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有矽襯底的，也有砷化镓的。霍爾器件由於(yu) 其工作機理的原因都製成全橋路器件，其內(nei) 阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳(chuan) 感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。短衝(chong) 程氣缸。
外殼材料  PBT
工作電壓  Ub10...30 VDC
環境溫度  -25...85 °C
防護等  IP67
許可/*性cULus, CE
通過極亮的LED相隔較遠距離也能識別開關(guan) 狀態
我們(men) 用於(yu) T形槽的磁敏氣缸傳(chuan) 感器以非接觸方式透過缸壁探測活塞位置。

BALLUFF磁敏傳(chuan) 感器作用,巴魯夫特點